中國光刻機爆發元年 國產化進程迎重大突破香港新聞網9月25日電 中國光刻機國產化進程迎來歷史性突破。在日前召開的中國國際工業博覽會上，上海微電子首次公開EUV光刻機參數圖，芯上微裝斬獲雙項行業大獎，標誌著國產光刻機在先進封裝、干法DUV及EUV原理機領域實現"0-1"突破。二級市場同步沸騰，光刻機概念龍頭張江高科漲停創歷史新高。華鑫證券研報指出，國產90nm光刻機已量產，28nm浸沒式設備研發加速，技術突破將帶動全產業鏈升級，半導體自主可控進入爆發元年。 光刻機國產化進程加速 在全球半導體產業格局深刻變革的背景下，中國光刻機國產化進程迎來重大突破。在第二十五屆中國國際工業博覽會上，芯上微裝攜多款重磅新品精彩亮相，并憑藉卓越的技術實力，成功斬獲展會最高榮譽“工博會CIIF 大獎”及“集成電路創新成果獎”。同日，上海微電子(SMEE)展台上首次公開亮相了極紫外(EUV)光刻機參數圖。 上海微電子以及芯上微裝各自都展出重磅產品，背後對應的是今年產業端重磅的“0—1”突破，先進封裝機台正式量產、干法DUV近期將進入量產測試階段、國產EUV進入原理機搭建階段（本次展出為EUV概念驗證機），國產光刻機產業進入爆發元年。 中國光刻機需求量較大，但國產化率極低。長期以來，中國在高端光刻機領域始終面臨“卡脖子”困境。美國早在2018年就開始施壓對華高端光刻機的出口，之後又陸續出台“1007新規”等針對政策，限制對中國出口先進制程芯片設備，包括EUV光刻機和先進型號的DUV光刻機，同時聯合日本荷蘭制定相關出口條例共同對華進行產業封鎖。 根據華鑫證券研報，在國家政策支持下，國內企業加速研發突破光刻機製造技術，目前國產光刻機在90nm及以下工藝節點方面取得了重要進展。例如，上海微電子自主研發的600系列光刻機已實現90nm工藝的量產，并正在進行28nm浸沒式光刻機的研發工作。近期，宇量昇與中芯國際的合作測試是國產光刻機突破的重要信號。 產業鏈協同與政策支持引行業起飛 2025年，國產光刻機技術在多領域實現關鍵突破，形成從90nm到14nm制程的階梯式發展格局。上海微電子（SMEE）的28nm浸沒式DUV光刻機已進入量產測試階段，核心部件國產化率超70%，採用華卓精科雙工件台（定位精度1.5nm）和國科精密投影物鏡（NA=0.93），支持7nm多重曝光工藝。 中芯國際測試數據顯示，該設備良率穩定在90%以上，成本較ASML同類產品低30%。此外，國產EUV光刻機已進入原理機搭建階段，光源系統採用哈爾濱工業大學研發的LDP技術，核心部件全部自研。 而由長三角地區27家科研院所組建“光刻機聯盟”，重點破解“光刻機-光刻膠”協同驗證瓶頸。國家大基金三期將DUV光刻機國產化列為重點投資方向，2025年目標實現核心部件50%國產化率。上海微電子2023年獲地方政府專項資金超10億元，用於浸沒式光刻機的工藝優化。光刻膠領域，上海發佈“光刻膠中試平台”，推動光刻膠及原材料國產化進程。 從產業影響看，華鑫證券認為光刻機技術的突破將帶動上游材料、精密機械等配套產業升級，加速光刻膠、光學部件等“卡脖子”材料的國產化進程，形成“龍頭帶動、多點突破”的產業升級格局。 （完） 【編輯：錢林霞】
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