成立只有十年的長鑫科技7月27日正式登陸科創板後，短短五個交易日，發行價 8.66元的股票，便直接飆升到55.03 元，漲幅達531.06%，對應總市值衝高至 3.7萬億元，全天成交額最終鎖定 1412 億元，創下 A 股有史以來個股單日成交額最高紀錄。

8月3日長鑫科技股價一度攀升至55.98元人民幣。（圖源：雪球）

長鑫科技一下子就成了無可爭議的A 股“股王”，甚至還在全球半導體市值榜單中超越英特爾。記得也就是在去年的時候，長鑫科技才剛扭虧，賬上還掛著366.5億元的累計未彌補虧損。那這麼一個帶著歷史虧損包袱的年輕芯片企業，憑什麼一上市能拔得頭籌呢？

要理解長鑫科技的分量，必須先看清它所處的環境有多卷。長鑫科技主營的是DRAM，也就是動態隨機存取存儲器，是負責手機、電腦、服務器中運行數據暫存的，它直接決定了設備的運行速度與多任務處理能力，是核心基礎芯片。去年，全球DRAM市場規模超過1200億美元，卻長期處於海外寡頭高度壟斷之中。

據Counterpoint Research數據顯示，今年第一季度，三星、SK海力士和美光三家，分別以38%、29%、22% 的份額，合計差不多佔據了全世界九成的市場。中國作為全球最大的DRAM消費市場，占全球消費量的 42%，但自給率長期不足 5%，每年要花費超 500 億美元進口存儲芯片。

▲2025年GRAM市場份額分布圖

然而，要想擠進這個賽道談何容易，建一座12英寸的DRAM晶圓廠，動輒上百億美元，技術每升級一代，有可能舊產線還沒回本，又得再繼續投幾十上百億買新設備。而且由於DRAM高度標準化，成本相對固定，價格完全是隨著供需關係變化的，需求一上來，價格就暴漲，供給一過剩，價格就雪崩，這個漲跌周期基本是三到五年。再者，美日韓企業在DRAM領域已經深耕幾十年，近10萬項的專利壁壘，覆蓋了接口標準、存儲單元結構、制程微縮等全鏈條，新入局者很難繞開，所以，這幾十年間德國奇夢達、日本爾必達等一眾挑戰者都是抱憾離場。再加上荷蘭ASML的EUV光刻機對華禁售，可以說，長鑫科技面臨的壓力絕對是空前的。

長鑫科技。

而長鑫科技之所以能殺出重圍，最重要的一點是因為它選擇了一條最難走的路，也就是IDM全棧自研模式。芯片行業普遍分為輕資產的Fabless模式與重資產的IDM模式，前者只做設計、製造外包，門檻低、風險小，絕大多數芯片企業選的都是這條路；後者則覆蓋設計、製造、封測全鏈條，需要持續投入百億級資金建設晶圓廠、購置設備、培養工程師團隊，三星、SK海力士、美光走的都是這條路。DRAM的基礎原理是公開的，怎麼設計并不關鍵，關鍵在於如何製造，即使是同樣的設計，在不同生產線上做出來的芯片，性能、成本與良品率都可能有著天差地別。所以，長鑫科技從立項之初就堅定走IDM路線。

當然，選擇了這條路必然是艱難的。IDM模式本身就意味著重資產、重投資，僅2023年到2025年間，長鑫的固定資產折舊就高達500億元，而且DRAM項目從建廠到量產再到盈利，一般都需要八年以上，從2016年項目啟動到2025年底，長鑫累計虧損就超過360億元，而能够支撐長鑫跨越虧損周期的，正是以合肥國資為代表的國有資本。在這十年間，合肥國資體係累計投入約 248億元，始終持股不動搖，也正是這份耐心，為長鑫爭取到了足够的技術迭代時間。國家這種用長期投入換來了自主可控製造能力的邏輯，最終讓長鑫複刻了京東方在面板行業的成功路徑。

在技術路線上，長鑫則是另辟蹊徑，選擇了跳代研發與差異化工藝結合的策略。按照芯片行業常規，產品迭代通常是一代一代微縮制程，如果長鑫按部就班的話，就要永遠在巨頭身後追。而長鑫在2019年量產19nm第一代工藝後，直接跳過中間的好幾代，躍遷到了14nm級的第四代工藝，產品端也快速從DDR4內存轉向DDR5和LPDDR5X內存。既然EUV被封鎖，那就用DUV來替代，長鑫用成熟的浸沒式DUV光刻機，配合自對準四重曝光（SAQP）技術，通過將精細電路圖形拆分、多次曝光，叠加沉積側牆的方式，達到高精度制程。這種方式類似套色印刷，把一次印不清的圖案拆成四次逐層叠加，最終實現等效的精細線寬。雖然這樣一來會增加工序、抬高單片成本，而且對良品率控制要求更高，但它繞開了最關鍵的設備卡脖子環節，讓中國在沒有EUV的情況下也能量產高性能DRAM。在此基礎上，長鑫還提前布局鍵合式DRAM等下一代技術，加速縮小與國際領先廠商之間的技術差距。

正如前文所述，國外巨頭已經在這個賽道築起了高高的專利壁壘，曾經，與長鑫同時進軍DRAM行業的福建晉華，就因為專利糾紛與出口管制而停滯。而長鑫的破局之法就是收購破產企業的技術遺產，拿到了全球市場的合法入場券。曾經的全球第二大DRAM廠商德國奇夢達，2009年破產後，留下了7000多項核心專利和超千萬份、2.8TB的技術文檔，而且他們的技術路線與三星、美光的差異較大，就自然規避了大量專利雷區。2019 年，長鑫通過專利授權方式完整獲得了這批技術遺產，同時吸納了原奇夢達的大批資深工程師與技術人才。如此一來，長鑫就構築起了自己的知識產權護城河，使其能够合法參與全球市場競爭。此外，再叠加逆周期擴產的精準判斷，也使得長鑫能够逆風翻盤。2023年全行業虧損收縮時，長鑫逆勢投入436億元擴產，最終在去年AI算力爆發，國外三巨頭轉投高利潤HBM（高帶寬內存）而讓出通用DRAM市場缺口時，精準接住了海量訂單，實現首次盈利，今年上半年淨利潤就超過500億元，十年虧損一朝抹平。

▲長鑫科技近年來營收和淨利潤

長鑫科技的崛起，并不單單是一個企業的成功，其實這對中國存儲芯片產業乃至整個半導體自主化進程都具有里程碑式的意義。從產業生態看，長鑫作為供應鏈頂端企業，會帶動上游半導體設備、材料、光刻膠、掩模版等配套環節的驗證與替代，為國產供應鏈提供寶貴的量產測試平台，推動整個半導體產業鏈的國產化率提升。對國內AI產業而言，自主可控的 DRAM產能是算力設施的基礎，有它在就能大幅減少價格波動的風險，為AI大模型與數據中心建設提供穩定支撐。可以說，長鑫補上了國產芯片版圖中最關鍵的一塊短板，讓中國在 DRAM這個戰略級品類上擁有了穩定的本土供應能力。而更深遠的意義則在於，長鑫用十年時間證明，即使是在資金密集、技術密集、專利密集的高端半導體領域，中國企業都能實現從0到1的突破，那麼後續更多的其它硬科技領域，就能够複製這種路徑，也會有更大的信心來完成。

放眼全球，在全球供應鏈區域化分化的大背景下，長鑫代表的中國產能將成為全球存儲供應鏈的重要一極，打破了國外寡頭絕對壟斷的定價權，為東南亞、拉美等新興市場提供更多元的供貨選擇，降低了單一地區斷供的風險，從而推動存儲芯片價格回歸合理區間。在地緣科技博弈層面，長鑫突破技術封鎖實現量產，本身就是對科技霸權的有力回應，它證明了極端封鎖不僅無法阻擋技術追趕，反而會加速自主產業鏈的成熟。當然，我們也要清醒地看到，長鑫在最先進制程、HBM 高端產品、產能規模上與國際巨頭仍有代差，從入局到引領恐怕還有很長的路要走，但可以確定的是，全球存儲產業的三巨頭時代已經落幕，一個由中、美、韓共同構成的多極新格局正在加速形成。

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