長江存儲躋身世界前三 學者：中國存儲雙雄將破局香港新聞網8月19日電（記者 王少喆）全球圍繞記憶體晶片的產業博弈傳來歷史性突破。市場研究機構 Counterpoint 於2026年8月12日發布的最新報告顯示，長江存儲（YMTC）在2026年第二季以 14% 的出貨容量份額，首度擠身全球 NAND 閃存市場前三名。 數據顯示，長江存儲當季出貨量同比增長 22%、環比增長 5%，小幅超越日本鎧俠（13%），僅次於韓國三星（25%）與 SK 海力士（22%），美國美光則以 13% 退居第五。這是中國大陸 NAND 廠商首次進入全球第一梯隊，標誌著國產存儲晶片在消費級市場已形成規模化競爭力。 科技領域學者曹波指出，在美國出口管制持續限制先進半導體設備獲取的背景下，長江存儲能夠逆勢衝頂，最核心的技術支撐正是其全球首創的 Xtacking 晶棧架構。 傳統 3D NAND 採用單晶圓集成，將存儲單元與外圍邏輯電路做在同一片晶圓上，因製造工藝不同互相牽制，堆疊層數越高開發越難。Xtacking 架構則將兩者分開在兩片晶圓上獨立加工，再通過數十億根垂直通道金屬鍵合。這使得單顆晶片面積減少約 25%、產品開發週期縮短約 3 個月，且無需依賴 EUV 光刻機即可實現高階堆疊，從根源繞開了海外巨頭累積數十年的專利壁壘。 目前，長江存儲已實現 267 層 3D NAND 的穩定量產，並推進 300 層以上下一代產品研發。最新一代 Xtacking 4.0 架構的傳輸速率高達 3,600 MT/s，達到上一代 1.5 倍，堆疊密度與傳輸速度均已站穩全球第一梯隊。
長江存儲廠區效果圖。圖源：長江存儲官網 精準踩中市場空窗期 反週期佈局釋放紅利 除了技術創新，長江存儲的崛起也得益於供需格局的轉變與戰略性反週期佈局。 自 2025年下半年 以來，AI 算力需求爆發，三星與 SK 海力士等頭部廠商將資金與產能大量轉向利潤更豐厚的 DRAM 與 HBM 高頻寬記憶體，主動收縮 NAND 產能，例如三星的 NAND 市佔率便從 2024年同期 的 32% 回落至 25%。 在市場供給偏緊、AI 推理引爆手機與 PC 消費級存儲需求的空窗期，長江存儲堅持擴產 NAND，成功填補海外巨頭留下的空白。 此外，長江存儲在先前行情低谷期未盲目減產，反而堅持產能提升與技術迭代，行情反轉時得以立刻釋放產能。配合國內信息基礎設施對自主可控的需求，伺服器與終端廠商加速採購國產顆粒，為其提供穩定的基本盤。 隨著長江存儲衝進全球前三，配合長鑫科技（CXMT）上市即登頂 A 股市值榜首，中國存儲產業“兩存”雙雄格局正式成型。 長鑫與長存分別主攻 DRAM（運行內存）與 NAND（數據存儲），補齊了中國半導體產業鏈最核心的兩塊短板。過去中國作為全球最大晶片消費國，存儲晶片自給率長期不足 10%；兩大龍頭的規模化量產，大幅提升了國家信息基礎設施的自主可控水平。 同時，龍頭企業的量產驗證也帶動了上游半導體設備、材料與零組件的全鏈條國產化，為刻蝕機、鍍膜設備、光刻膠及拋光液提供測試平台，複製了當年國產面板產業從“單點突破”走向“系統升級”的成功路徑。 “豐產不豐收”隱憂未解 高端轉型仍需 3 到 5 年 儘管出貨量衝進全球前三，但曹波提醒，當前的成績僅是階段性突破，產業遠未到高枕無憂的時候。 最直觀的矛盾在於“出貨量高、銷售額偏低”。長江存儲當前的營收銷售額仍排在全球第五，落後於鎧俠與美光。 這背後主要源於產品結構的差異。一方面，長江存儲產能主要投向消費級 SSD、手機嵌入式閃存等民用市場，單價與毛利較低；另一方面，單價高、利潤厚的數據中心企業級 SSD 佔比偏低。相比之下，鎧俠有超過 30% 出貨量面向伺服器市場，美光在企業級領域亦佈局深厚，單位售價遠高於消費級產品。 技術層面上，在最先進的 HBM 高頻寬記憶體與高端企業級 SSD 領域，中國廠商與三星、SK 海力士相比仍有 3 到 4 年 的技術差距，且部分高端設備仍受到外部出口管制約束。 此外，存儲行業具備強週期性，當前量價齊漲源於供需錯配，一旦海外巨頭調回產能，市場抗風險能力將面臨嚴峻考驗。 展望未來，長鑫正在加快推進 HBM 與伺服器高端 DRAM 的研發，長江存儲亦推出了多款 PCIe 5.0 規格的企業級 SSD，計劃於 2026年下半年 提高企業級產品出貨佔比，朝營收衝進全球前三發力。未來 3 到 5 年，中國存儲產業將從“拼數量”轉向“拼質量”，逐步打入企業級與車規級市場，在這場跨越數十年的產業追趕中，衝進全球前三僅是一個全新起點。（完） 【編輯：王少喆】
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