香港新聞網7月27日電（記者 崔隽）7月27日，長鑫科技登陸科創板，開盤即大漲471%，收盤股價報49元，總市值飆升至3.28萬億元，登頂A股。當日其成交額突破1400億元，創下A股歷史首支單日成交破千億的紀錄。

在過去很長一段時間里，長鑫科技“無人問津”。它不是一家互聯網公司，也不是一家新能源企業，做的東西許多人也沒聽說過——DRAM存儲芯片。如今，正是這枚曾被視為“吞金獸”的小小芯片，在AI算力引爆的存儲超級周期里成了市場焦點。

存儲芯片究竟是什麼？為什麼它成了人工智能時代的必爭之地？而在全球半導體格局中，中國又是如何用十年時間完成這場突圍？

長鑫科技。（圖源企業官網）

誰掌握存儲芯片，誰握住AI產業咽喉

存儲芯片是電子設備的“記憶中心”。如果說電子設備的CPU是負責思考的大腦，那麼存儲芯片就是記憶，它把程序、照片和文件變成數不清的0和1并保存下來。

存儲芯片主要分兩大類：一類是DRAM，也就是內存芯片，負責臨時存放正在處理的數據，斷電即失，主要用來配合CPU運行系統、打開APP、處理當下的任務；另一類是NAND閃存，負責長期保存數據，斷電不丟，手機存幾萬張照片，電腦存大量資料，靠的就是它。

在PC和手機時代，存儲芯片是重要的配件。到了人工智能時代，存儲芯片便成了決定生死的糧草。為什麼這麼說呢？因為遇到了“內存牆”。

現在大模型訓練需要海量數據在GPU和內存之間高速流轉，傳統內存的帶寬根本跟不上，業內稱之為"內存牆"。

為了打破這堵牆，一種名為高帶寬內存（HBM）的技術應運而生。HBM本質上就是一種通過3D堆叠技術，把很多層DRAM芯片像千層餅一樣叠在一起，然後直接放在GPU旁邊的高速存儲器。

沒有HBM，英偉達最頂級的顯卡就發揮不出威力。英偉達H100、最新一代Blackwell芯片，都高度依賴HBM3和HBM3E。

據行業分析機構TrendForce集邦諮詢的報告顯示，全球存儲市場規模2026年將達到8893億美元，2027年預計突破1.28萬億美元。世界半導體貿易統計組織（WSTS）的數據也顯示，2026年全球半導體市場總規模約1.511萬億美元，其中存儲芯片占比超過一半。存儲，已經是半導體產業中最大的單一品類。

可以這麼理解，誰掌握了存儲芯片，尤其是HBM，誰就握住了AI產業的咽喉。這也是為什麼美國在對中國半導體進行制裁時，會將高端存儲芯片列為重點限制對象。存儲芯片的重要性可見一斑。

蟄伏十年，終於突圍

從無人問津到中國最大、全球第四的DRAM芯片製造商，長鑫科技的發展是一個十年磨一劍的故事。

2016年，全球DRAM市場已被三星、SK海力士、美光三巨頭牢牢把控，合計份額超過90%，而中國在這一領域幾乎沒有產業基礎。在這樣的背景下，同年長鑫科技在合肥成立。

創始人朱一明畢業於清華大學，後赴美深造，2005年回國在北京創立兆易創新，將其打造為全球NOR Flash龍頭。2018年，朱一明卸任兆易創新總經理，全職出任長鑫存儲董事長兼CEO，帶著從兆易創新積累的半導體產業經驗，全身心投入DRAM攻堅戰。他創業的終極目標是打造“中國版的三星電子”。

長鑫科技做的第一件事是去買技術。德國奇夢達（Qimonda）曾是歐洲唯一的存儲芯片公司，2009年破產後留下了一座專利金礦。長鑫通過旗下公司與奇夢達的專利受讓方達成協議，將約2.8TB、超過一千萬份DRAM技術文件收入囊中，在此基礎上結合自身的技術積累，一點點地攻關、修補、重組。

但接下來幾年，長鑫幾乎無人關注。原因很現實：存儲芯片是一個燒錢無底洞。2017年開工建廠，2018年投片試產，2019年9月推出首顆8Gb DDR4芯片，19納米工藝——這是中國大陸DRAM產業“從零到一”的突破。但當時三巨頭已經量產10納米級DRAM，技術差距至少兩代。

更要命的是，長鑫連續巨虧：2022年虧83億，2023年虧163億，2024年虧71億，三年累計虧損超過300億元。

而長鑫之所以能活下來，合肥國資持續“輸血”至關重要。合肥產投相關負責人曾公開表示：“芯片等產業鏈薄弱環節，想在短期內實現資本回報概率很小，一定是大資本、長周期，甚至跨越幾個周期最終才能實現價值投資。”

另一個關鍵生機在於“跳代研發”策略，長鑫選擇從19納米第一代工藝跳到17納米，從DDR4直接覆蓋到DDR5、LPDDR5/5X。到2025年，長鑫17納米工藝DDR5的良率突破90%，標誌著其在成熟DRAM量產上取得了關鍵進展。

2025年下半年開始，AI算力需求爆發，帶動HBM和DDR5價格飆升。長鑫接住了這個超級周期，2025年營收617.99億元，同比增長155%，首次扭虧為盈。2026年一季度數據更誇張：營收508億元，同比增長719%；歸母淨利潤247.62億元，同比增長1688%。

根據長鑫科技預計，2026年1-6月營業收入1100億元至1200億元，同比增長612.53%至677.31%；歸母淨利潤500億元至570億元，同比增長2244.03%至2544.19%，有望抹平長鑫科技成立以來的全部累計虧損。

中美韓競爭正酣

將目光放遠至全球DRAM市場，三星、SK海力士、美光三家，長期佔據約九成份額。據市場研究機構Counterpoint Research發佈的2026年第一季度全球存儲市場份額數據顯示，長鑫全球市占率從3%攀升到近8%，算是撕開了一道口子。

格局之中，韓國依然是目前當之無愧的霸主。三星電子和SK海力士兩大巨頭，常年霸佔著全球DRAM市場近70%的份額，在NAND Flash領域也佔據半壁江山。

近期韓國政府攜手這兩家企業，計劃在西南及忠清地區推進總額達800萬億韓元的半導體超級投資計劃。在“韓國大跨越三大超級項目國民報告會”上，韓國總統李在明面向發佈投資計劃的三星電子會長李在镕和SK集團會長崔泰源先後彎腰90度鞠躬致意——這一罕見姿態被外界解讀為韓國在存儲芯片領域押上國運的決心。

美國企業美光雖然在市場份額上不及韓國雙雄，但它手握大量核心基礎專利，并且是美國軍工和高端計算的核心供應商。更重要的是，美國掌握著EDA設計軟件、光刻機等上游工具的命門。

目前，SK海力士與美光已實現HBM3E批量供貨，三星加速衝刺HBM4E樣品交付，牢牢佔據全球高端HBM市場；而長鑫科技也在全力攻堅HBM3并完成國產客戶送樣驗證，但尚未實現規模化商用，與國際巨頭在堆叠工藝、良率、高端產品迭代上或仍存在2—3年明顯代差。

差距依然存在，但長鑫的上市本身就是一個信號。此次IPO募資約579億元，是科創板史上最大規模IPO，資金將主要用於擴產和HBM研發。目前長鑫擁有合肥、北京三座12英寸晶圓廠，月產約28—30萬片，目標向40萬片擴張。在HBM賽道上，長鑫HBM3已完成國產客戶送樣驗證，HBM3E規劃2027年量產，與華為昇騰等國產AI芯片的配套協同也在推進中。

此外，這次長鑫IPO的戰略配售名單同樣值得關注。18家產業鏈夥伴集體入場，涵蓋了從矽片、設備、材料等上游環節，到阿里雲、中興通訊等下游應用，再到蔚來、奇瑞等智能汽車企業，如同中國存儲芯片產業鏈的一次協同集結。圍繞長鑫科技，一個自主可控的存儲芯片生態圈正在成形。（完）