不滿本土擴產熱、在美投資遲緩，美急催韓企赴美建廠香港新聞網8月25日電（編輯 馬華）全球人工智能熱潮持續升溫，高帶寬內存（HBM）等高性能芯片需求井噴，韓國半導體產業抓住這一風口，掀起了一輪規模空前的擴產浪潮。然而，這場發生在韓國本土的投資盛宴，引發了美國的強烈不滿與持續施壓。
這是6月14日在美國首都華盛頓拍攝的白宮。新華社資料圖 今年6月29日，韓國總統李在明在青瓦台主持召開“韓國大跨越三大超級項目國民報告會”，正式公佈了半導體、AI數據中心、物理AI等三大領域的超級投資路線圖。其中半導體領域最引人注目的，是計劃在光州與全羅道等西南部湖南地區打造繼首都圈之後的“第二生產基地”——總投資高達800萬億韓元（約合5800億美元），建設4座半導體晶圓廠，并構建相關合作企業與人才生態系統。 三星電子和SK海力士兩大巨頭已宣布參與該集群建設。 與韓國國內的擴產熱潮形成鮮明對比的是，韓國半導體企業赴美投資的進展卻十分遲緩。
圖為韓國國旗在韓國首都首爾光化門城樓前飄揚。新華社資料圖 據報道，三星電子在美國得克薩斯州泰勒市的晶圓廠項目歷經波折。該工廠投資約370億美元，原計劃2024年下半年投產，但量產時程多次推遲。 SK海力士方面，雖然正在印第安納州西拉斐特建設投資40億美元的先進封裝工廠，預計2028年完工，但該項目主要用於高帶寬存儲器的封測業務，并不開展晶圓前端製造。 而美方真正渴望的前端內存晶圓廠，至今尚未正式落地。 這種“本土擴產熱、赴美投資冷”的反差，逐漸引發了華盛頓方面的強烈不滿。 據韓國《朝鮮日報》8月25日報道，美國正就半導體投資問題向韓國政府和企業施加日益強烈的壓力，要求其在美國本土建設內存半導體生產設施并保障內存供應量。 韓國執政黨官員透露：“美方要求我國半導體企業投資本地內存工廠設施，并確保內存穩定供應。湖南半導體超大規模項目宣布後，半導體投資施壓明顯加劇。”
圖為韓國總統府青瓦台。新華社資料圖 值得關注的是，這是美方首次在施壓投資時點名提及韓國政府主導的“超大規模項目”，將湖南半導體集群計劃與韓企在美投資遲滯問題直接掛鈎。 美國認為，韓國在支持本國半導體投資上積極、在美國投資上消極的雙重態度令人難以接受。 另有官員補充稱，美方的不滿并非針對湖南集群項目本身，而是指向韓國企業在美半導體投資計劃遲遲未能落地。 事實上，美國商務部長盧特尼克早在7月9日就已公開點名三星電子和SK海力士，要求兩家韓企赴美新建存儲芯片生產設施。 盧特尼克甚至發出強硬警告：如果不在美國投資，美國可能會對韓國等主要半導體生產國征收高達100%的半導體關稅。 面對美方日益升級的壓力，韓國政府試圖在回應與管控之間尋求平衡。韓國產業通商資源部長官金正官於8月16日啟程赴美，進行了為期四天的投資談判。韓國政府的立場是：美方提出的半導體投資要求與兩國去年簽署的“對美3500億美元投資”協議屬於獨立議題，兩者不應混為一談。政府計劃於9月公佈首批對美投資項目。
圖為位於美國首都華盛頓的商務部大樓。新華社資料圖 然而，對於韓國半導體企業而言，這一局面意味著潛在的雙重壓力—在承接800萬億韓元湖南集群建設任務的同時，若美方正式要求在美建廠，企業將面臨國內外兩線投資的沉重負擔。 據市場研究機構Counterpoint數據顯示，在美國建設半導體工廠的成本約為韓國本土的兩倍。 一邊是國內800萬億韓元的超大規模集群建設，另一邊是美國以高額關稅相威脅的建廠要求，韓國半導體產業正被推向一個艱難的十字路口。（完） 【編輯：馬華】
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